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大功率 LED 封装和散热技术分析

发布时间:2011-04-13   来源:11317仪器商城  

                                                   大功率 LED 封装和散热技术分析

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      LED 灯具产业是近 來被认为最有潜 的产业之一, 大家都期待 LED 能够进入照明市场, 成为新照明光源, 成为最有希望的潜在市场。LED 体积小、效 高、 反应时间快、 产品寿命较其它光源长、 含对环境有害的汞, 这些都是优点。 近年来,大功率 LED 发展较快,在结构和性能上都有较大的改进,产量上升、价格下降;还开发出单颗功 率为 100W 的超大功率白光 LED。与前几年相比较,在发光效率上有长足的进步。例如,Edison 公司前几年的 20W 白光 LED, 其光通量为 700lm, 发光效率为 35lm/W。 2007 年开发的 100W 白光 LED, 其光通量为 6000lm, 发光效率为 60lm/W。又例如,LumiLED 公司最近开发的 K2 白光 LED,与其Ⅰ、Ⅲ系列同类产品比较如表 1 所示。从表中可以看出:K2 白光 LED 在光通量、最大结温、热阻及外廓尺寸上都有较大的改进。Cree 公司新 推出的 X-Lamp XR~E 冷白光 LED,其更高亮度挡 QS 在 350mA 时光通量可达 107~114lm。这些性能良好的大 功率 LED 给开发 LED 白光照明灯具创造了条件。 前几年,各种白光 LED 照明灯具主要是采用小功率 Φ5 白光 LED 来做的。如 1~5W 的灯泡、15~20W 的灯管 及 40~60W 的路灯、投射灯等。这些灯具使用了几十到几百个 Φ5 白光 LED,生产工艺复杂、可靠性差、故障 率高、外壳尺寸大,并且亮度不足。为改进上述缺点,这几年逐步采用大功率白光 LED 来替代 Φ5 白光 LED 来设计新型灯具。例如,用 18 个 2W 的白光 LED 做成的街灯,若采用 Φ5 白光 LED 则要几百个。另外,用一 个 1.25W 的 K2 系列白光 LED,可做成光通量为 65lm 的强光手电筒,照射距离可达几十米。若采用 Φ5 白光 LED 来做则是不可能的。 LED 灯具的主要难点是大功率 LED 封装技术提升,大功率 LED 封装由于结构和工艺复杂,并直接影响到 LED 的使用性能和寿命,一直是近年来的研究热点,特别是大功率白光 LED 封装更是研究热点中的热点。 但 LED 灯具的重要难点是散热问题的解决,这会 低 LED 发光效 ,尤其大功率 LED 灯具急待解决的。 LED 的主要失效形式之一是热失效,随着温度的升高,不但 LED 的失效率大大增加而且 LED 光衰加剧、寿 命缩短,因此散热设计是 LED 灯具结构设计中不可忽略的一个环节。大功率 LED 灯具的外壳防护等级一般都 在 IP65 以上,热量不能通过空气对流的方式发散到灯具外部。所以利用良好的导热途径将 LED 的热量传到灯 具外壳,选择合适的导热材料等灯具散热方面的设计直接决定了产品的性能。 下面对大功率 LED 灯具从两个方面进行分析:封装技术与散热技术。
一、大功率LED封装技术及其发展:
       LED 封装的功能主要包括:1.机械保护,以提高可靠性;2.加强散热,以降低芯片结温,提高 LED 性能;3.光学控制,提高出光效率,优化光束分布;4.供电管理,包括交流/直流转变,以及电源控制等。 LED 封装方法、材料、结构和工艺的选择主要由芯片结构、光电和机械特性、具体应用和成本等因素决定。 经过近十几年的发展, 特别是对大功率 LED 封装的光学、 热学、 电学和机械结构等提出了更新的和更高的要求。 为了有效地降低封装热阻,提高出光效率,必须采用全新的技术思路来进行封装设计。 大功率 LED 封装主要涉及光、热、电、结构与工艺等方面,如图 1 所示。这些因素彼此既相互独立,又相互 影响。其中,LED 的封装:光是目的,热是关键,电、结构与工艺是手段,而性能是封装水平的具体体现。从 工艺兼容性及降低生产成本而言,LED 封装设计应与芯片设计同时进行,即芯片设计时就应该考虑到封装结构 和工艺。否则,等芯片制造完成后,可能由于封装的需要对芯片结构进行调整,从而延长了产品研发周期和工 艺成本,有时甚至不可能。
    图 1:大功率 LED 封装技术 具体而言,大功率 LED 封装的关键技术包括: 1.低热阻封装工艺 对于现有的 LED 光效水平而言,由于输入电能的 80%左右转变成为热量,且 LED 芯片面积小,因此,芯 片散热是 LED 封装必须解决的关键问题。主要包括芯片布置、封装材料选择基板材料、热界面材料与工艺、热 沉设计等。 LED 封装热阻主要包括材料(散热基板和热沉结构)内部热阻和界面热阻。散热基板的作用就是吸收芯片 产生的热量, 并传导到热沉上, 实现与外界的热交换。 常用的散热基板材料包括硅、 (如铝, 、 (如, 金属 铜) 陶瓷 AlN,SiC)和复合材料等。如 Nichia 公司的第三代 LED 采用 CuW 做衬底,将 1mm 芯片倒装在 CuW 衬底上, 降低了封装热阻,提高了发光功率和效率;Lamina Ceramics 公司则研制了低温共烧陶瓷金属基板,如图 2(a) , 并开发了相应的 LED 封装技术。该技术首先制备出适于共晶焊的大功率 LED 芯片和相应的陶瓷基板,然后将 LED 芯片与基板直接焊接在一起。由于该基板上集成了共晶焊层、静电保护电路、驱动电路及控制补偿电路, 不仅结构简单,而且由于材料热导率高,热界面少,大大提高了散热性能,为大功率 LED 阵列封装提出了解决 方案。德国 Curmilk 公司研制的高导热性覆铜陶瓷板,由陶瓷基板(AlN 或)和导电层(Cu)在高温高压下烧 结而成,没有使用黏结剂,因此导热性能好、强度高、绝缘性强,如图 2(b)所示。其中氮化铝(AlN)的热 导率为 160W/mk,热膨胀系数为(与硅的热膨胀系数相当) ,从而降低了封装热应力。
    图 2:封装热应力 研究表明,封装界面对热阻影响也很大,如果不能正确处理界面,就难以获得良好的散热效果。例如,室温下 接触良好的界面在高温下可能存在界面间隙, 基板的翘曲也可能会影响键合和局部的散热。 改善 LED 封装的关 键在于减少界面和界面接触热阻,增强散热。因此,芯片和散热基板间的热界面材料(TIM)选择十分重要。 LED 封装常用的 TIM 为导电胶和导热胶,由于热导率较低,一般为 0.5-2.5W/mK,致使界面热阻很高。而采用 低温或共晶焊料、焊膏或者内掺纳米颗粒的导电胶作为热界面材料,可大大降低界面热阻。 2.高聚光率封装结构与工艺 在 LED 使用过程中,辐射复合产生的光子在向外发射时产生的损失,主要包括三个方面:芯片内部结构缺 陷以及材料的吸收;光子在出射界面由于折射率差引起的反射损失;以及由于入射角大于全反射临界角而引起 的全反射损失。因此,很多光线无法从芯片中出射到外部。通过在芯片表面涂覆一层折射率相对较高的透明胶 层(灌封胶),由于该胶层处于芯片和空气之间,从而有效减少了光子在界面的损失,提高了取光效率。此外, 灌封胶的作用还包括对芯片进行机械保护,应力释放,并作为一种光导结构。因此,要求其透光率高,折射率 高,热稳定性好,流动性好,易于喷涂。为提高 LED 封装的可靠性,还要求灌封胶具有低吸湿性、低应力、耐 老化等特性。目前常用的灌封胶包括环氧树脂和硅胶。硅胶由于具有透光率高,折射率大,热稳定性好,应力 小,吸湿性低等特点,明显优于环氧树脂,在大功率 LED 封装中得到广泛应用,但成本较高。研究表明,提高 硅胶折射率可有效减少折射率物理屏障带来的光子损失,提高外量子效率,但硅胶性能受环境温度影响较大。 随着温度升高,硅胶内部的热应力加大,导致硅胶的折射率降低,从而影响 LED 光效和光强分布。 荧光粉的作用在于光色复合,形成白光。其特性主要包括粒度、形状、发光效率、转换效率、稳定性(热 和化学)等,其中,发光效率和转换效率是关键。研究表明,随着温度上升,荧光粉量子效率降低,出光减少, 辐射波长也会发生变化,从而引起白光 LED 色温、色度的变化,较高的温度还会加速荧光粉的老化。原因在于 荧光粉涂层是由环氧或硅胶与荧光粉调配而成,散热性能较差,当受到紫光或紫外光的辐射时,易发生温度猝 灭和老化, 使发光效率降低。 此外, 高温下灌封胶和荧光粉的热稳定性也存在问题。 由于常用荧光粉尺寸在 1um 以上,折射率大于或等于 1.85,而硅胶折射率一般在 1.5 左右。由于两者间折射率的不匹配,以及荧光粉颗粒 尺寸远大于光散射极限(30nm) ,因而在荧光粉颗粒表面存在光散射,降低了出光效率。通过在硅胶中掺入纳 米荧光粉,可使折射率提高到 1.8 以上,降低光散射,提高 LED 出光效率(10%-20%) ,并能有效改善光色质 量。 传统的荧光粉涂敷方式是将荧光粉与灌封胶混合,然后点涂在芯片上。由于无法对荧光粉的涂敷厚度和形 状进行精确控制,导致出射光色彩不一致,出现偏蓝光或者偏黄光。而 LumiLEDs 公司开发的保形涂层 (Conformal coating)技术可实现荧光粉的均匀涂覆,保障了光色的均匀性,如图 3(b) 。但研究表明,当荧光 粉直接涂覆在芯片表面时,由于光散射的存在,出光效率较低。有鉴于此,美国 RenssELaer 研究所提出了一 种光子散射萃取工艺(Scattered Photon Extraction method,SPE),通过在芯片表面布置一个聚焦透镜,并将含 荧光粉的玻璃片置于距芯片一定位置,不仅提高了器件可靠性,而且大大提高了光效(60%) ,如图 3(c)。
    图 3:大功率 LED 封装结构 总体而言,为提高 LED 的出光效率和可靠性,封装胶层有逐渐被高折射率透明玻璃或微晶玻璃等取代的趋 势, 通过将荧光粉内掺或外涂于玻璃表面, 不仅提高了荧光粉的均匀度, 而且提高了封装效率。 此外, 减少 LED 出光方向的光学界面数,也是提高出光效率的有效措施。 3.阵列封装与系统集成技术 经过近几十年的发展,LED 封装技术和结构先后经历了四个阶段,如图 4 所示。
    图 4:LED 封装技术和结构发展
二、大功率LED散热技术分析
    如果大功率LED在正常发光状态其热能无法导出,将影响 LED 发光效 。70%的 LED 会因为过高的接面温 而产生故障:LED 的产品生命周期、 、产品稳定性等都会随接面温 提高而衰竭。当 LED 热源无法有效导 出,将导致 LED 接面温 (Junction Temperature)升高,随之影响到的将是光的输出效 衰减。如图 5 所示, 接面温 与发光效 之关系随着 LED 晶 的提升, 单颗 LED 的功耗瓦数亦从 0.1W 提高至 1W、 及 5W 以 3W 上,那么 LED 封装模块的热阻抗(Thermal Resistance)由 250 至 350K/W 大幅 低至现在的小于 5K/W 以下。 由于这样的技术发展,使得 LED 面临到日益严荷的热管 挑战,LED 的热较 IC 低,温 升高时 仅会造成
    下降,且温 超过 100°C 时将加速组件的 化,那么 LED 组件本身的散热技术就必需进一步改善以满足高 功 LED 的散热需求。
    图 5:接面温度与发光效率的关系 图 6 所示,LED 温 与寿命关系图。对接面温 说、温 影响到了不只是效 或寿命等关系、接面温 越 高而无法排除、最后结果却是影响到 LED 其寿命、温 越高其寿命衰减越快、所以在图 6 中显示出温 控 制的重要性。
    图 6:LED 温 与寿命关系图。 1.LED 结温的定义及其分析: LED 的基本结构是一个半导体的 PN 结,它是个光电器件,其工作过程中只有 15%~25%的电能转换成光能, 其余的电能几乎都转换成热能, LED 的温度升高。 使 实验指出: 当电流流过 LED 元件时, 结的温度将上升, PN 严格意义上说,就把 PN 结区的温度定义为 LED 的结温。通常由于元件芯片均具有很小的尺寸,因此我们也可 把 LED 芯片的温度视之为结温。(通常用 Tj 表示)。产生 LED 结温的原因有哪些? ◆在 LED 工作时,可存在以下四种情况促使结温不同程度的上升: A、元件不良的电极结构,视窗层衬底或结区的材料以及导电银胶等均存在一定的电阻值,这些电阻相互垒加, 构成 LED 元件的串联电阻。当电流流过 PN 结时,同时也会流过这些电阻,从而产生焦耳热,引致芯片温度或 结温的升高。 B、由于 PN 结不可能极端完美,元件的注入效率不会达到 100%,也即是说,在 LED 工作时除 P 区向 N 区注 入电荷(空穴)外,N 区也会向 P 区注人电荷(电子),一般情况下,后一类的电荷注人不会产生光电效应,而以发
    热的形式消耗掉了。即使有用的那部分注入电荷,也不会全部变成光,有一部分与结区的杂质或缺陷相结合, 也会变成热。 C、 实践证明, 出光效率的限制是导致 LED 结温升高的主要原因。 目前, 先进的材料与元件制造工艺已能使 LED 极大多数输入电能转换成光辐射能,然而由于 LED 芯片材料与周围介质相比,具有大得多的折射系数,致使芯 片内部产生的极大部分光子(>90%)无法顺利地溢出介面,而在芯片与介质介面产生全反射,返回芯片内部并通 过多次内部反射被芯片材料或衬底吸收,并以晶格振动的形式变成热,促使结温升高。 D、LED 元件的热散失能力是决定结温高低的又一个关键条件。散热能力强时,结温下降,反之,散热能力差 时结温将上升。由于环氧树脂胶是低热导材料,因此 PN 结处产生的热量很难通过透明环氧树脂胶向上散发到 环境中去,大部分热量通过衬底、银浆、管壳、环氧树脂胶粘接层,PCB 与热沉向下发散。显然,相关材料的 导热能力将直接影响元件的热散失效率。 一个普通型的 LED, PN 结区到环境温度的总热阻在 300 到 600℃/W 从 之间,对于一个具有良好结构的功率型 LED 元件,其总热阻约为 15 到 30℃/W。巨大的热阻差异表明普通型 LED 元件只能在很小的输入功率条件下,才能正常地工作,而功率型元件的耗散功率可大到瓦级甚至更高。 2.降低 LED 结温的途径有哪些? 从五个方面去考虑:A、减少 LED 本身的热阻;B、良好的二次散热机构;C、减少 LED 与二次散热机构安 装介面之间的热阻;D、控制额定输入功率;E、降低使用环境温度。 LED 的输入功率是元件热效应的来源,能量的一部分变成了辐射光能,其余部分均变成了热,从而提 升了元件的温度。 显然, 减小 LED 温升效应的主要方法, 一是设法提高元件的电光转换效率 (又称外量子效率) , 使尽可能多的输入功率转变成光能,另一个重要的途径是设法提高元件的热散失能力,使结温产生的热,通过 各种途径散发到周围环境中去。 3.降低 LED 结温和大功率 LED 的散热处理: 在大功率 LED 中,散热是个大问题。例如,1 个 10W 白光 LED 若其光电转换效率为 20%,则有 8W 的电 能转换成热能,若不加散热措施,则大功率 LED 的器芯温度会急速上升,当其结温(TJ)上升超过最大允许温 度时(一般是 150℃),大功率 LED 会因过热而损坏。因此在大功率 LED 灯具设计中,主要的设计工作就 是散热设计。下表是 Edison 公司给出的大功率白光 LED 的结温 Tj 在亮度衰减 70%时与寿命的关系(不同 LED 生产厂家的寿命并不相同,仅做参考)。
    另外,一般功率器件(如电源 IC)的散热计算中,只要结温小于最大允许结温温度(一般是 125℃)就可 以了。但在大功率 LED 散热设计中,其结温 Tj 要求比 125℃低得多。其原因是 Tj 对 LED 的出光率及寿命有较 大影响:Tj 越高会使 LED 的出光率越低,寿命越短。
    图 7:Lumiled 公司 K2 系列的内部结构 图 7 是 K2 系列白光 LED 的结温 TJ 与相对出光率的关系曲线。在 Tj=25℃时,相对出光率为 1;Tj=70℃ 时相对出光率降为 0.9;Tj=115℃时,则降到 0.8 了。
    图 8 :NICHIA 公司 NCCWO22 的内部结构 在上表中可看出:Tj=50℃时,寿命为 90000 小时;Tj=80℃时,寿命降到 34000 小时;Tj=115℃时,其寿 命只有 13300 小时了。Tj 在散热设计中要提出最大允许结温值 Tj〔max〕,实际的结温值 Tj 应小于或等于要求 的 Tj〔max〕,即 Tj ≤Tj〔max〕。
    图 9: LED 与 PCB 焊接图 的散热路径: 大功率 LED 的散热路径: 大功率 LED 在结构设计上是十分重视散热的。图 7 是 Lumiled 公司 K2 系列的内部结构、图 9 是 NICHIA 公司 NCCW022 的内部结构。从这两图可以看出:在管芯下面有一个尺寸较大的金属散热垫,它能使管芯的热 量通过散热垫传到外面去。
    图 10: 双层敷铜层散热结构 大功率 LED 是焊在印制板(PCB)上的,如图 9 所示。散热垫的底面与 PCB 的敷铜面焊在一起,以较大 的敷铜层作散热面。为提高散热效率,采用双层敷铜层的 PCB,其正反面图形如图 10 所示。这是一种最简单 的散热结构。
    图 11:散热路径图 热是从温度高处向温度低处散热。 大功率 LED 主要的散热路径是: 管芯→散热垫→印制板敷铜层→印制板 →环境空气。若 LED 的结温为 Tj,环境空气的温度为 Ta,散热垫底部的温度为 Tc(Tj>Tc>Ta),散热路径 如图 11 所示。 在热的传导过程中,各种材料的导热性能不同,即有不同的热阻。若 LED 芯片传导到散热垫底面的热阻为 RJC(LED 的热阻)、散热垫传导到 PCB 面层敷铜层的热阻为 RCB、PCB 传导到环境空气的热阻为 RBA,则从 LED 芯片的结温 Tj 传导到空气 Ta 的总热阻 RJA 与各热阻关系为: RJA=RJC+RCB+RBA 各热阻的单位是℃/W。 可以这样理解:热阻越小,其导热性能越好,即散热性能越好。 如果 LED 的散热垫与 PCB 的敷铜层采用回流焊焊在一起,则 RCB=0,则上式可写成: RJA=RJC+RBA 散热的计算公式: 散热的计算公式 若结温为 Tj、环境温度为 Ta、LED 的功耗为 PD,则 RJA 与 Tj、Ta 及 PD 的关系为: RJA=(Tj-Ta)/PD 〔1〕 式中 PD 的单位是 W。PD 与 LED 的正向压降 VF 及 LED 的正向电流 IF 的关系为: PD=VF×IF 〔2〕 如果已测出 LED 散热垫的温度 Tc,则〔1〕式可写成: RJA=(Tj-Tc)/PD+(Tc-Ta)/PD 〔3〕 则 RJC=(Tj-Tc)/PD RBA=(Tc-Ta)/PD 〔4〕 在散热计算中,当选择了大功率 LED 后,从数据资料中可找到其 RJC 值;当确定 LED 的正向电流 IF 后, 根据 LED 的 VF 可计算出 PD;若已测出 Tc 的温度,则按〔3〕式可求出 Tj 来。
    在测 Tc 前,先要做一个实验板(选择某种 PCB、确定一定的面积)、焊上 LED、输入 IF 电流,等稳定后, 用 K 型热电偶点温度计测 LED 的散热垫温度 Tc。 在〔4〕式中,Tc 及 Ta 可以测出,PD 可以求出,则 RBA 值可以计算出来。 若计算出 Tj 来,代入〔1〕式可求出 RJA。 这种通过试验、 计算出 Tj 方法是基于用某种 PCB 及一定散热面积。 如果计算出来的 Tj 小于要求 (或等于) Tj〔max〕,则可认为选择的 PCB 及面积合适;若计算来的 Tj 大于要求的 Tj〔max〕,则要更换散热性能更好 的 PCB,或者增加 PCB 的散热面积。 另外,若选择的 LED 的 RJC 值太大,在设计上也可以更换性能上更好并且 RJC 值更小的大功率 LED,使满 足计算出来的 Tj ≤Tj〔max〕。这一点在计算举例中说明。 各种不同的 PCB 目前应用与大功率 LED 作散热的 PCB 有三种:普通双面敷铜板(FR4)、铝合金基敷铜板(MCPCB)、 柔性薄膜 PCB 用胶粘在铝合金板上的 PCB。 MCPCB 的结构如图 12 所示。
    图 12: MCPCB 结构图 其散热效果与铜层及金属层厚如度尺寸及绝缘介质的导热性有关。一般采用 35μm 铜层及 1.5mm 铝合金的 MCPCB。 柔性 PCB 粘在铝合金板上的结构如图 13 所示。一般采用的各层厚度尺寸如下表所示。1~3W 星状 LED 采用此结构。 采用高导热性介质的 MCPCB 有更好的散热性能,但价格较贵。
    图 13: 散热层结构图 计算举例: 计算举例
    这里采用了 NICHIA 公司的测量 TC 的实例中取部分数据作为计算举例。已知条件如下: LED:3W 白光 LED、型号 MCCW022、RJC=16℃/W。K 型热电偶点温度计测量头焊在散热垫上。 PCB 试验板:双层敷铜板(40×40mm)、t=1.6mm、焊接面铜层面积 1180mm2 背面铜层面积 1600mm2。 LED 工作状态:IF=500mA、VF= 3.97V。 按图 14 用 K 型热电偶点温度计测 Tc,Tc=71℃。测试时环境温度 Ta= 25℃. ①.Tj 计算 Tj=RJC × PD + Tc = RJC(IF×VF)+Tc = 16℃/W(500mA×3.97V)+71℃=103℃
    图 14:Tc 测量位置图 ②.RBA 计算:RBA=(Tc-Ta)/PD =(71℃-25℃)/1.99W = 23.1℃/W 计算 ③.RJA 计算 计算:RJA=RJC+RBA=16℃/W+23.1℃/W=39.1℃/W 如果设计的 Tj〔max〕=90℃,则按上述条件计算出来的 Tj 不能满足设计要求,需要改换散热更好的 PCB 或增大散热面积,并再一次试验及计算,直到满足 Tj ≤Tj〔max〕为止。 若更换新型同类产品 RJC=9℃/W (IF=500mA 时 VF=3.65V), 另外一种方法是, 在采用的 LED 的 RJC 值太大时, 其他条件不变,Tj 计算为:Tj=9℃/W(500mA×3.65V)+71℃=87.4℃ 上式计算中 71℃有一些误差,应焊上新的 9℃/W 的 LED 重新测 TC(测出的值比 71℃略小)。这对计算 影响不大。采用了 9℃/W 的 LED 后不用改变 PCB 材质及面积,其 Tj 符合设计的要求。 PCB 背面加散热片 若计算出来的 Tj 比设计要求的 Tj〔max〕大得多,而且在结构上又不允许增加面积时,可考虑将 PCB 背 面粘在“U”形的铝型材上 (或铝板冲压件上) 或粘在散热片上, , 如图 15 所示。 这两种方法是在多个大功率 LED 的灯具设计中常用的。例如,上述计算举例中,在计算出 Tj=103℃的 PCB 背后粘贴一个 10℃/W 的散热片,其 Tj 降到 80℃左右。
    图 15:“U”形铝型材 这里要说明的是,上述 Tc 是在室温条件下测得的(室温一般 15~30℃)。若 LED 灯使用的环境温度 Ta 大于室温时,则实际的 Tj 要比在室温测量后计算的 Tj 要高,所以在设计时要考虑这个因素。若测试时在恒温 箱中进行,其温度调到使用时更高环境温度,为更佳。 另外,PCB 是水平安装还是垂直安装,其散热条件不同,对测 Tc 有一定影响,灯具的外壳材料、尺寸及 有无散热孔对散热也有影响。因此,在设计时要留有余地。 4.结束语 结束语 采用一定散热面积的 PCB、装上 LED 的试验板,在 LED 工作状态下测出 TC 再计算的方法来作散热设计是 一种简便、有效的方法,可以较好地设计出满足结温 Tj〔max〕要求的散热结构(PCB 材质及面积)。 这种散热设计方法除适用于大功率白光 LED 的照明灯具外,也适用于其他发光颜色的大功率 LED 灯具, 如警示灯、装饰灯等。
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